Name: Techniken zur Behebung von Leckstromverlusten in der letzten Stufe und dynamischen IR-Abfällen (en Alemán)
Price: 99522.00 ARS
Availability: InStock
Author: S. Murti Sarma, N.; Vasantha Kumar, Petta Veera Bala
ISBN: 9786209333019

portada Techniken zur Behebung von Leckstromverlusten in der letzten Stufe und dynamischen IR-Abfällen (en Alemán)

Techniken zur Behebung von Leckstromverlusten in der letzten Stufe und dynamischen IR-Abfällen (en Alemán)

Formato

Libro Físico

Editorial

Verlag Unser Wissen

Autor

S. Murti Sarma, N.; Vasantha Kumar, Petta Veera Bala

Idioma

Alemán

N° páginas

108

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9 x 15.2 x 0.7 cm

ISBN13

9786209333019

Techniken zur Behebung von Leckstromverlusten in der letzten Stufe und dynamischen IR-Abfällen (en Alemán)

S. Murti Sarma, N.; Vasantha Kumar, Petta Veera Bala (Autor) · Verlag Unser Wissen · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Techniken zur Behebung von Leckstromverlusten in der letzten Stufe und dynamischen IR-Abfällen (en Alemán)"

In dieser Monografie werden die Probleme der Leckstromleistung, der Stromintegrität aufgrund von Ersatzzellen und Spitzen-IR-Abfällen behandelt. Der Umfang der vorgeschlagenen Lösung liegt auf der Ebene des physikalischen Designs nahe dem Designabschluss, wo Optimierungswerkzeuge nur über begrenzte Ressourcen zur Behebung dieser Probleme verfügen. Es gibt jedoch viel Spielraum für zukünftige Arbeiten in anderen Bereichen des Low-PM-Spektrums, wie z. B. auf Schaltungsebene, Architekturebene, Design-Ebene und Software-Codierungsebene. Die meisten heutigen Halbleiterentwickler sind aufgrund des Aufwands für die Änderung bestehender Abläufe und der engen Design-Zeitpläne nicht an sehr neuen Techniken wie Gate-Array-ECO-Abläufen unter Verwendung von ECO-Kits von Bibliotheksanbietern interessiert. Die vorgeschlagene Technik der "optimalen Zustandszuweisung" kann dazu beitragen, die Leckage von Ersatzzellen zu reduzieren, ohne die Designabläufe zu beeinträchtigen, aber die Umstellung auf diese neuen Techniken wird zu einer vollständigen Reduzierung der Leckleistung von Ersatzzellen beitragen. Ein weiterer möglicher Bereich für zukünftige Untersuchungen ist die Verwendung von 65-nm-, 45-nm-, 32-nm- und 28-nm-Bibliotheken für die Implementierung verschiedener datenflussintensiver Architekturen, um die vorgeschlagene Technik der "selektiven Glitch-Reduzierung" zu validieren.

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