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portada Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevices (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Autor
Ilustrado por
Editorial
Idioma
Inglés
N° páginas
188
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
27.9 x 21.6 x 1.2 cm
Peso
0.62 kg.
ISBN13
9781608054152
Categorías

Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevices (en Inglés)

Ray R. Lapierre (Autor) · Jianye Li (Autor) · Deli Wang (Ilustrado por) · Bentham Science Publishers · Tapa Blanda

Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevices (en Inglés) - Wang, Deli ; Lapierre, Ray R. ; Li, Jianye

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Reseña del libro "Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevices (en Inglés)"

Semiconductor nanowires exhibit novel electronic and optical properties due to their unique one-dimensional structure and quantum confinement effects. In particular, III-V semiconductor nanowires have been of great scientific and technological interest for next generation optoelectronic devices including transistors, light emitting diodes, lasers, photodetectors, and solar cells. Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevicesis an account of recent progress in the synthesis, characterization, physical properties, device fabrication, and applications of binary compound and ternary alloy III-V semiconductor nanowires. Each chapter is prepared by renowned experts in the field, describing the current state of knowledge and key areas of research. The book is written at the expert level, but also serves as a guide for researchers or graduate students aiming to enter semiconductor research.

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