Name: Techniques pour traiter la récupération des fuites en phase finale et la chute de tension dynamique (en Francés)
Price: 99522.00 ARS
Availability: InStock
Author: S. Murti Sarma, N.; Vasantha Kumar, Petta Veera Bala
ISBN: 9786209335570

portada Techniques pour traiter la récupération des fuites en phase finale et la chute de tension dynamique (en Francés)

Techniques pour traiter la récupération des fuites en phase finale et la chute de tension dynamique (en Francés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Editions Notre Savoir

Autor

S. Murti Sarma, N.; Vasantha Kumar, Petta Veera Bala

Idioma

Francés

N° páginas

108

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9 x 15.2 x 0.7 cm

ISBN13

9786209335570

Techniques pour traiter la récupération des fuites en phase finale et la chute de tension dynamique (en Francés)

S. Murti Sarma, N.; Vasantha Kumar, Petta Veera Bala (Autor) · Editions Notre Savoir · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Techniques pour traiter la récupération des fuites en phase finale et la chute de tension dynamique (en Francés)"

Cette monographie traite respectivement des problèmes liés à la puissance de fuite, à l'intégrité de l'alimentation due aux cellules de réserve et à la chute de tension maximale. La solution proposée s'inscrit dans le cadre de la conception physique, à un stade proche de la finalisation, où les outils d'optimisation disposent de ressources limitées pour résoudre ces problèmes. Cependant, il existe un vaste champ d'action pour des travaux futurs dans d'autres domaines du spectre à faible PM, tels que le niveau des circuits, le niveau architectural, le niveau de conception et le niveau de codage logiciel. La majorité des concepteurs de semi-conducteurs actuels ne sont pas intéressés par les techniques très récentes telles que les flux ECO de réseaux de portes utilisant des kits ECO fournis par les fournisseurs de bibliothèques, en raison des efforts nécessaires pour modifier les flux existants et des calendriers de conception serrés. La technique proposée d' attribution optimale d'état peut aider à réduire les fuites des cellules de réserve sans affecter les flux de conception, mais le passage à ces nouvelles techniques contribuera à réduire complètement la puissance de fuite des cellules de réserve. Un autre domaine d'étude possible pour l'avenir consiste à utiliser des bibliothèques de 65 nm, 45 nm, 32 nm et 28 nm pour la mise en oeuvre de diverses architectures à flux de données intensif afin de valider la technique proposée de réduction sélective des glitches .

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