Compartir
silicon carbide 2008 materials, processing and devices: volume 1069 (en Inglés)
Michael Dudley
(Ilustrado por)
·
C. Mark Johnson
(Ilustrado por)
·
Adrian R. Powell
(Ilustrado por)
·
Cambridge University Press
· Tapa Dura
silicon carbide 2008 materials, processing and devices: volume 1069 (en Inglés) - Dudley, Michael ; Johnson, C. Mark ; Powell, Adrian R.
$ 122.583
$ 204.306
Ahorras: $ 81.722
Elige la lista en la que quieres agregar tu producto o crea una nueva lista
✓ Producto agregado correctamente a la lista de deseos.
Ir a Mis Listas
Origen: Estados Unidos
(Costos de importación incluídos en el precio)
Se enviará desde nuestra bodega entre el
Martes 28 de Mayo y el
Martes 11 de Junio.
Lo recibirás en cualquier lugar de Argentina entre 1 y 3 días hábiles luego del envío.
Reseña del libro "silicon carbide 2008 materials, processing and devices: volume 1069 (en Inglés)"
Silicon carbide (SiC) is a robust semiconductor material being actively developed for high-power and high-temperature applications, especially in the field of power electronics and sensors for harsh environments. This book, the fifth in a continuing series, focuses on SiC growth, defects, and devices. New developments in the growth of bulk SiC single-crystal materials, advances in the epitaxial growth of SiC, and progress in the characterization of materials properties and defects in SiC are featured. The volume also highlights the development of devices manufactured on this wide-bandgap semiconductor including: innovative device designs; characterization of device and materials properties; and improvements in wide-bandgap processing technology.